PHÉNOMÈNES PRÉSENTÉS PAR LES COMBINAISONS END0THBRMIQUE
Quatre régions sont à distinguer :
1» Aiux! températures^ inférieures à t, aucune réaction ne se produit dans un système renfermant le composé et les éléments capables de le former, quelque soit la valeur de x ;
2<> Atix tempéi^atures comprises entre t et x, le composé ne peut se former aux dépens de ses éléments; au contraire y si la valeui
faux i équilibres
décomposition
combinaison
T Fig. 122
initiale de x est suffisamment grande, le corps composé se détruit en partie ; la décomposition est limitée ; la valeur de x qui limite la décomposition est d'autant moins élevée que la température est plus élevée; la réaction est limitée non par V action inverse, mais par la production de faux équilibres ;
3° Aux températures comprises entre x et 8, le composé ne peut se former; il se décompose ; cette réaction est illimitée ;
4* Aur. températures supérieures à 6, selon la valeur qu^a le rapport x dans le système, celui-ci peut être le siège soit d'une décomposition, soit d'une combinaison ; à une tempèi^ature donnée, les deux réactions, inverses Vune de Vautre, sont limitées par une même valeur de i ; celte valeur limite de x croit avec la température.
Ces distinctions permettent de classer les propriétés d'une foule de composés endo thermiques.
891. Ozone. — Pour l'oxygène ozonisé, la température ordinaire est déjà supérieure à la température ^ ; à cette température,
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plus rapidement à 100°, plus rapidement encore à 200°, Tozone subit une destruction que l'on peut regarder comme complète ; nous savons, d'autre part, que MM. Troost et Hauteleuille (n** 176) ont mis en évidence la transformation directe, mais partielle, de l'oxygène en ozone à des températures voisines de 1 200^ ; ces températures sont donc supérieures à 6.
292. Triehiorure de silicium. Rectierehes de mil. Troost el llaiitefeuille. — MM. Troost et Uautefeuille ('), ont pu explorer complètement les diverses parties du champ que représente la fig. 122 pour certains composés du silicium, et, en particulier, pour le triehiorure de silicium Si*Cl*.
A 250°, ce corps ne prend pas naissance par l'action des vapeurs du tétrachlorure SiCl^ sur le silicium ; en revanche, les vapeurs du triehiorure de silicium sont indécomposables à cette température.
A 350"* les vapeurs du triehiorure de silicium subissent une décomposition très limitée et très lente ; le dépôt de silicium sur les parois du vase est à peine sensible au bout de 24 heures ; les vapeurs de tétrachlorure tout toujours sans action sur le silicium.
Lorsque la température s'élève, la décomposition du triehiorure de silicium en tétrachlorure et silicium devient de plus en plus marquée ; elle détruit à 440° une fraction notable du corps composé ; à 800°, si l'expérience est suffisamment prolongée, la décomposition est complète.
Au contraire, à 1 000°, la décomposition n'est plus que partielle ; d'autre part, à cette température, le tétrachlorure se combine partiellement au silicium pour donner du triehiorure.
293. Les systèmes à réaction illimitée et le principe dn travail maximum. — Un nombre considérable de réactions chimiques se classent dans la catégorie dont la formation de l'hydrogène sulfuré et la décomposition du triehiorure de silicium sont les types. Toutes ces réactions donnent lieu à une observation importante : Aux températures comprises entre t ef t, oii la seule réactio7i possible est limitée par des états de faux équi-
(ï) TaoosT et Hadtbfbuillb, Annales de Chimie et de Physique^ 5« série, t. VII,
